Оперативная память - страница 30
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • PC5-38400 (4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память SO-DIMM DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • PC5-38400 (4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR5 • 8 Гб • 1 модуль • PC5-44800 (5600 МГц) • 1.25 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-29800 (3733 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • PC5-38400 (4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • PC5-44800 (5600 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR3 • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В, 1.5 В
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)