Оперативная память - страница 26
Фильтры
Подборкипамять Registered DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-17000 (2133 МГц) • 1.2 В (DDR4)
1.1 В (DDR5)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • PC5-38400 (DDR5 4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память DDR4 ECC • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-38400 (DDR4 4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • PC5-38400 (DDR5 4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • PC5-38400 (DDR5 4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • PC5-38400 (DDR5 4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память DDR4 ECC • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 ECC • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 ECC • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 ECC • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • PC5-38400 (DDR5 4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память DDR5 • 16 Гб • 1 модуль • 1.1 В (DDR5)