Оперативная память - страница 11 - страница 23
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
1.35 В (DDR4)
память DDR4 • 1 модуль
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-19200 (2400 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • PC4-25600 (3200 МГц)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-23466 (2933 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)