Оперативная память DDR4 DIMM Kingston HyperX Fury HX426C16FB3/8 8Gb PC4-21300 CL16 доставка 1-2 дня

Купить недорого в интернет магазине еnkosp.ru онлайн или по телефону +7 (495) 241-01-56 с доставкой по Москве. Модуль памяти DDR4 смотреть характеристики в каталоге Enko. Недорогая цена 4233 р. в магазине цифровой техники и электроники.
Количество:
Цена для организаций ➔
4233 руб

Артикул: 435776 Есть, доставка 1-2 дня

Основные характеристики
Производитель
Kingston
Серия
HyperX Fury
Модель
HX426C16FB3/8
Тип оборудования
Модуль памяти DDR4
Объем модуля памяти
8 Гб
Количество модулей в комплекте
1
Частота функционирования
до 2666 МГц
Стандарт памяти
PC4-21300 (DDR4 2666 МГц)
Пропускная способность памяти
21328 Мб/сек
Тайминги
16-18-18
Латентность
CL16
Высота
34 мм
Гарантия
12 мес.
Дизайн и отделка
Цвета, использованные в оформлении
Черный
Конфигурация
Чип
1Gb x 8-bit
Питание
Напряжение питания
1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
Охлаждение
Охлаждение
Радиаторы на чипах памяти
Логистика
Размеры упаковки
17 x 5.7 x 1.3 см
Вес брутто
0.053 кг
Отзывы о Оперативная память DDR4 DIMM Kingston HyperX Fury HX426C16FB3/8 8Gb PC4-21300 CL16
Общая оценка NAN из 5
Ваша оценка

Оценка 0 балла

Samsung выпустила DDR5 512Gb

26 марта, 2021
Каждый регистровый (RDIMM) модуль оперативной памяти Samsung DDR5 объёмом 512 Гбайт оснащён тридцатью двумя 16-гигабитными восьмислойными чипами памяти (8-Hi) объёмом 16 Гбайт каждый. Производитель пока не сообщает максимальную скорость передачи данных, которую поддерживают её новые модули памяти. Однако это объясняется просто — компания пока не в праве делиться особенностями и спецификациями серверных платформ нового поколения.
Интересной особенностью 512-Гбайт модулей памяти DDR5 компании Samsung является то, что в ней используются новейшие 16-Гбит модули DDR5, где вместо привычных диэлектриков применяются диэлектрики из материала с высоким значением диэлектрической постоянной, которые как правило встречаются при производстве логических чипов для снижения утечек тока. Это не первый раз, когда Samsung использует технологию HKMG для памяти — ещё в 2018 году она начала применять её при производстве высокоскоростных модулей GDDR6.
По словам производителя, более низкий уровень энергопотребления самих модулей памяти DDR5, диэлектрический слой HKMG и другие усовершенствования позволяют снизить общий уровень энергопотребления DDR5 на 13 % по сравнению с предыдущим стандартом памяти. Использование новых модулей памяти компании Samsung объёмом 512 Гбайт в составе серверных систем с поддержкой восьмиканального режима работы ОЗУ позволит увеличить общий объём оперативной памяти до 8 Тбайт вместо текущих 4 Тбайт.
В Samsung отмечают, что компания уже приступила к тестированию различных модулей памяти стандарта DDR5 с серверными платформами своих партнёров. Производитель надеется, что новый стандарт памяти пройдёт все необходимые испытания и получит все необходимые сертификаты к моменту, когда на рынке будут представлены первые серверные системы с поддержкой памяти DDR5.
Оперативная память по низким ценам на сайте enkosp.ru

Похожие товары:

Арт. 483773
Kingston <KCP426NS6/8> 8Gb
Цена: 4494 руб.
память DDR4, 8 Гб, 1 модуль, PC4-21300 (2666 МГц), 1.2 В (DDR4)
Интернет-магазин
Арт. 317049
хит продаж
Kingston <KVR26N19S8/8> 8Gb
Цена: 3747 руб.
память DDR4, 8 Гб, 1 модуль, PC4-21300 (2666 МГц), 1.2 В (DDR4)
Интернет-магазин
Арт. 476885
Crucial Ballistix <BL8G26C16U4R> 8Gb
Цена: 3956 руб.
память DDR4, 8 Гб, 1 модуль, PC4-21300 (2666 МГц), 1.2 В (DDR4)
Интернет-магазин
Арт. 482007
на складе
Kingston <KVR26N19S6/8> 8Gb
Цена: 3442 руб.
память DDR4, 8 Гб, 1 модуль, PC4-21300 (2666 МГц), 1.2 В (DDR4)
Интернет-магазин
Арт. 442930
TeamGroup Elite <TED48G2666C19BK> 8Gb
Цена: 3956 руб.
память DDR4, 8 Гб, 1 модуль, PC4-21300 (2666 МГц), 1.2 В (DDR4)
Интернет-магазин
Арт. 497470
Netac Basic <NTBSD4P26SP-08> 8Gb
Цена: 3630 руб.
память DDR4, 8 Гб, 1 модуль, PC4-21300 (2666 МГц), 1.2 В (DDR4)
Интернет-магазин
×
+7 (495) 241-01-56 +7 (496) 547-90-79