Оперативная память DDR4 - страница 9 - страница 2
Фильтры
Подборкипамять DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-33000 (4133 МГц) • 1.4 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 ECC • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц)
память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)