Память оперативная — - страница 7 включая архивные модели
память Registered DDR • 64 Гб • 1 модуль • PC5-38400 (DDR5 4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память Registered DDR4 • 32 Гб • PC4-23466 (2933 МГц)
память DDR5 • 32 Гб • KIT 2 модуля • PC5-38400 (DDR5 4800 МГц) • 1.25 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 16 Гб • KIT 2 модуля • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память LRDIMM DDR4 • 32 Гб • 1 модуль • PC4-19200 (2400 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 4 модуля • PC4-22400 (2800 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR3 • 8 Гб • KIT 4 модуля • PC3-15000 (1866 МГц) • 1.5 В
память DDR3 • 8 Гб • KIT 4 модуля • PC3-17000 (2133 МГц) • 1.5 В
память DDR4 • 16 Гб • KIT 2 модуля • PC4-24000 (3000 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 4 модуля • PC4-17000 (2133 МГц) • 1.2 В
память Registered DDR4 • 32 Гб • 1 модуль • PC4-19200 (2400 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR3 • 8 Гб • KIT 4 модуля • PC3-10600 (1333 МГц) • 1.5 В
память DDR4 • 8 Гб • KIT 8 модулей • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR5 • 4 Гб • KIT 2 модуля • PC5-51200 (DDR5 6400 МГц) • 1.4 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 32 Гб • KIT 2 модуля • PC4-24000 (3000 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 32 Гб • 1 модуль • PC4-24000 (3000 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 4 модуля • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 4 модуля • PC4-22400 (2800 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 16 Гб • KIT 2 модуля • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR5 • 4 Гб • KIT 2 модуля • PC5-51200 (DDR5 6400 МГц) • 1.4 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)