Память оперативная — 8 Гб - страница 14
Фильтры
Подборкипамять DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-24000 (3000 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR3 • 8 Гб • 1 модуль • PC3-10600 (1333 МГц) • 1.5 В (DDR3)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-19200 (2400 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-19200 (2400 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-24000 (3000 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-24000 (3000 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-24000 (3000 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR3 LV • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В (LV DDR3)