Память оперативная — 8 Гб - страница 7
Фильтры
Подборкипамять DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • PC4-25600 (3200 МГц)
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-32000 (4000 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-32000 (4000 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-19200 (2400 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-35200 (4400 МГц) • 1.5 В
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-33000 (4133 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-32000 (4000 МГц) • 1.45 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 4 модуля • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-36800 (4600 МГц) • 1.5 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 ECC • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-36800 (4600 МГц) • 1.5 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR3 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC3-14900 (1867 МГц) • 1.5 В (DDR3)