Память оперативная — Silicon Power - страница 4

память SO-DIMM DDR3 • 4 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В (DDR3L)

память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)

память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)

память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)

память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)

память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)

память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)

память DDR4 • 8 Гб • PC4-25600 (3200 МГц)

память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц)

память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)

память SO-DIMM DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)

память DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)

память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)

память Registered DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)

память DDR4 • 16 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц)