Память оперативная — Kingston - страница 3 - страница 5 - страница 14
Фильтры
Подборкипамять DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-23466 (2933 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 ECC • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR4 ECC • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR3 LV • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR5 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-38400 (DDR4 4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память SO-DIMM DDR4 • 16 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR3 • 4 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.5 В
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR3 • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.5 В (DDR3)
память DDR4 • 4 Гб • 1 модуль • PC4-19200 (2400 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR3 • 4 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.5 В (DDR3)
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR5 • 8 Гб • 1 модуль • PC5-44800 (DDR5 5600 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память SO-DIMM DDR3 LV • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В, 1.5 В