Память оперативная — Kingston - страница 11
память SO-DIMM DDR5 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-38400 (DDR4 4800 МГц) • 1.1 В (DDR5)
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-23466 (2933 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память SO-DIMM DDR4 ECC • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память SO-DIMM DDR4 • 4 Гб • 1 модуль • PC4-17000 (2133 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 ECC • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 4 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (DDR4)
память DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В
память DDR4 • 4 Гб • 1 модуль • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR3 • 2 Гб • 1 модуль • PC3-10600 (1333 МГц) • 1.5 В (DDR3)