Память оперативная DDR4
Фильтры
Подборкипамять LRDIMM DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память Registered DDR4 • 8 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 32 Гб • KIT 4 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC4-42664 (DDR4 5333 МГц) • 1.6 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR4 • 32 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память LRDIMM DDR4 • 64 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 32 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)
память DDR4 • 32 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц)
память DDR4 • 32 Гб • KIT 2 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память Registered DDR4 • 32 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц)
память DDR4 • 32 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 16 Гб • KIT 4 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 16 Гб • KIT 4 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память DDR4 • 16 Гб • KIT 4 модуля • PC4-21300 (2666 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 32 Гб • KIT 2 модуля • PC4-28800 (3600 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)
память Registered DDR4 • 64 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память Registered DDR4 • 64 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память Registered DDR4 • 32 Гб • 1 модуль • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.2 В (DDR4)
память DDR4 • 16 Гб • KIT 4 модуля • PC4-25600 (3200 МГц) • 1.35 В (Напряжение памяти нестандартное - может потребовать выставление в БИОС вручную)