Память DDR3 Kingston - страница 8 включая архивные модели

память DDR3 • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.5 В

память DDR3 • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.5 В

память DDR3 • 4 Гб • KIT 2 модуля • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.65 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)

память DDR3 • 4 Гб • KIT 2 модуля • PC3-15000 (1866 МГц) • 1.5 В

память DDR3 • 4 Гб • KIT 2 модуля • PC3-17000 (2133 МГц) • 1.60 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)

память Registered DDR3 • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.5 В

память DDR3 • 4 Гб • KIT 2 модуля • PC3-19200 (2400 МГц) • 1.65 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)

память DDR3 ECC • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В, 1.5 В

память DDR3 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC3-17000 (2133 МГц) • 1.6 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)

память DDR3 • 8 Гб • 1 модуль • PC3-19200 (2400 МГц) • 1.65 В ( Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС. вручную. )

память Registered DDR3 • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.5 В

память Registered DDR3, Registered DDR3 LV • 16 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3)

память Registered DDR3, Registered DDR3 LV • 8 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В, 1.5 В

память DDR3 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC3-17000 (2133 МГц) • 1.6 В (Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС вручную)

память DDR3 ECC LV, DDR3 ECC • 8 Гб • 1 модуль • PC3-10600 (1333 МГц) • 1.35 В, 1.5 В

память DDR3 • 8 Гб • KIT 2 модуля • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.5 В

память Registered DDR3 • 8 Гб • 1 модуль • PC3-10600 (1333 МГц) • 1.5 В

память Registered DDR3 • 8 Гб • 1 модуль • PC3-10600 (1333 МГц) • 1.5 В

память DDR3 • 4 Гб • KIT 4 модуля • PC3-15000 (1866 МГц) • 1.5 В

память DDR3 • 4 Гб • KIT 2 модуля • PC3-19200 (2400 МГц) • 1.65 В ( Напряжение памяти нестандартное - выставляется в БИОС. вручную. )