Оперативная память DDR3 SO-DIMM Goodram GR1600S3V64L11/4G 4Gb PC3-12800 CL11 for NoteBook
- отсутствует
- Производитель: Goodram
- Модель: GR1600S3V64L11/4G
- Тип оборудования: Модуль памяти LV SO-DIMM DDR3
- Тип чипов памяти: DDR3
- Объем модуля памяти: 4 Гб
- Количество модулей в комплекте: 1
- Тип: LV SO-DIMM DDR3
- Частота функционирования: до 1600 МГц
- Стандарт памяти: PC3-12800 (DDR3 1600 МГц)
- Пропускная способность памяти: 12800 Мб/сек
- Латентность: CL11
- Двухсторонний модуль памяти: Да
- Memory rank: Dual rank
- Пропускная способность: 12800 Мб/сек
- Гарантия: 12 мес.
Отзывы о Оперативная память DDR3 SO-DIMM Goodram GR1600S3V64L11/4G 4Gb PC3-12800 CL11 for NoteBook
Ваша оценка
Оценка 0 балла
память SO-DIMM DDR3 LV • 4 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В (LV DDR3)
память SO-DIMM DDR3 LV • 4 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.5 В
память SO-DIMM DDR3 LV • 4 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В (LV DDR3)
память SO-DIMM DDR3 LV • 4 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В (LV DDR3)
память SO-DIMM DDR3 LV • 4 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В (LV DDR3)
память SO-DIMM DDR3 LV • 4 Гб • 1 модуль • PC3-12800 (1600 МГц) • 1.35 В (LV DDR3)